IMDS重磅嘉賓 | 中科院院士江風益將出席國際Mini/MicroLED供應鏈創(chuàng)新發(fā)展峰會
2021-06-07 11:07:36
倒計時
26-Day countdown to DIC 2021
2021年是Mini LED顯示技術(shù)成熟商用化元年。在技術(shù)層面上，我們?nèi)匀幻媾R著半導體及顯示行業(yè)技術(shù)跨界融合的巨大挑戰(zhàn)，整個工藝及產(chǎn)業(yè)鏈上仍然存在如LED芯片微縮化、間距縮小、巨量轉(zhuǎn)移、缺陷修補等諸多問題待克服。
在此背景下，中國光學光電子行業(yè)協(xié)會液晶分會將聯(lián)合中國光學光電子行業(yè)協(xié)會LED顯示應用分會、中國知名電子信息產(chǎn)業(yè)咨詢公司CINNO Research在DIC 2021展會同期，以「跨界融合、創(chuàng)新發(fā)展」為主題，舉辦首屆「國際Mini/MicroLED供應鏈創(chuàng)新發(fā)展峰會（IMDS）」，并邀請到Mini/Micro LED供應鏈中的核心企業(yè)家們相聚一堂，圍繞Mini/MicroLED供應鏈發(fā)展中所面臨的機遇和挑戰(zhàn)，探討如何通過上下游協(xié)作，整合設備、材料、生產(chǎn)、工藝、應用、品牌等資源，攜手打好破局之戰(zhàn)，實現(xiàn)良好開端！
演講嘉賓
中國科學院院士/南昌大學黨委委員兼副校長
江風益
目前，Micro-LED技術(shù)正面臨兩大挑戰(zhàn)，首先是大家熟知的實現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)非常困難，另一個就是缺乏高效可靠的紅光Micro-LED芯片。
目前的紅光LED是由AlGaInP材料制成，在正常芯片尺寸下，其效率高達60%以上。然而，當芯片尺寸縮小到微米量級時，其效率會急劇降低到1%以下。此外，AlGaInP材料較差的力學性能給巨量轉(zhuǎn)移增加了新的困難，因為巨量轉(zhuǎn)移要求材料具有良好的機械強度，以避免在芯片抓取和放置過程中出現(xiàn)開裂。
InGaN材料在具有較好機械穩(wěn)定性和較短空穴擴散長度的同時，又與InGaN基綠光、藍光Micro-LED兼容，是紅光Micro-LED的較佳選擇。然而，InGaN基紅光量子阱存在嚴重的銦偏析問題，這將導致紅光量子阱中的非輻射復合增加，從而引起效率降低。在過去20年的研究中，InGaN基紅光LED功率轉(zhuǎn)換效率不足2.5%。銦偏析問題嚴重阻礙了InGaN基紅光LED的發(fā)展。因此，如何解決銦偏析問題是獲得高效InGaN基紅光LED的關(guān)鍵。
去年，南昌大學的江風益院士課題組在Photonics Research 2020年第8卷第11期上展示了他們最新研制的高光效InGaN基橙-紅光LED結(jié)果。
(a) 高光效橙光LED外延材料結(jié)構(gòu)示意圖 (b) 其斷面TEM測試結(jié)果
此項工作基于硅襯底氮化鎵技術(shù)，引入了銦鎵氮紅光量子阱與黃光量子阱交替生長方法，并結(jié)合V形坑技術(shù)，從而大幅緩解了紅光量子阱中高In組分偏析問題。再依據(jù)V形p-n結(jié)和量子阱帶隙工程大幅提升了紅光量子阱中的輻射復合速率。
使用該技術(shù)成功制備了一系列高效的InGaN基橙-紅光LED。當發(fā)光波長分別為594nm、608nm和621nm時，其功率轉(zhuǎn)換效率分別為30.1%、24.0%以及 16.8%，光效相較于以往報道的相同波段InGaN基LED結(jié)果整體提高了約十倍。
研究人員認為，該項技術(shù)在未來還有較大的進步空間，同時該團隊的實驗結(jié)果也證明了InGaN材料在制作顯示應用的紅光像素芯片上將有巨大潛力和美好前景。
參會費用
票價：3500元/人；
早鳥價：3000元/人，優(yōu)惠碼：【DIC2021】5.31前報名專享
（早鳥價已截止~）
會員價：3000元/人（液晶分會CODA會員專享，會員碼請聯(lián)系協(xié)會工作人員索取）
聯(lián)系方式
CODA
Mobile: 010-5716-1800
E-mail: member@coda.sinanet.com
JTB 胡女士
Mobile: +86 18616824191
E-mail: dic2021@jtbsha.com
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2021年DIC EXPO觀眾火熱報名中……
展會時間：2021.6.30-7.2
展會地址：上海新國際博覽中心
